ALD1110ESAL

ALD1110ESAL

Fabrikant

Advanced Linear Devices, Inc.

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - arrays

Beskrivelse

MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    EPAD®
  • pakke
    Tube
  • del status
    Active
  • fet type
    2 N-Channel (Dual) Matched Pair
  • fet funktion
    Standard
  • dræn til kildespænding (vdss)
    10V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    -
  • rds på (max) @ id, vgs
    500Ohm @ 5V
  • vgs(th) (max) @ id
    1.01V @ 1µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    -
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    2.5pF @ 5V
  • effekt - max
    600mW
  • Driftstemperatur
    0°C ~ 70°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • pakke/etui
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • leverandørens enhedspakke
    8-SOIC

ALD1110ESAL Anmode om et tilbud

På lager 7941
Antal:
Enhedspris (referencepris):
7.14840
Mål pris:
Total:7.14840

Datablad