EPC2100

EPC2100

Fabrikant

EPC

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - arrays

Beskrivelse

GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    eGaN®
  • pakke
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • del status
    Active
  • fet type
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • fet funktion
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • dræn til kildespænding (vdss)
    30V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    10A (Ta), 40A (Ta)
  • rds på (max) @ id, vgs
    8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
  • vgs(th) (max) @ id
    2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
  • effekt - max
    -
  • Driftstemperatur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • pakke/etui
    Die
  • leverandørens enhedspakke
    Die

EPC2100 Anmode om et tilbud

På lager 8199
Antal:
Enhedspris (referencepris):
6.94000
Mål pris:
Total:6.94000

Datablad