EPC2102ENGRT

EPC2102ENGRT

Fabrikant

EPC

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - arrays

Beskrivelse

GANFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    eGaN®
  • pakke
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • del status
    Discontinued at Digi-Key
  • fet type
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • fet funktion
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • dræn til kildespænding (vdss)
    60V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    23A (Tj)
  • rds på (max) @ id, vgs
    4.4mOhm @ 20A, 5V
  • vgs(th) (max) @ id
    2.5V @ 7mA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    6.8nC @ 5V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    830pF @ 30V
  • effekt - max
    -
  • Driftstemperatur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • pakke/etui
    Die
  • leverandørens enhedspakke
    Die

EPC2102ENGRT Anmode om et tilbud

På lager 7670
Antal:
Enhedspris (referencepris):
7.28000
Mål pris:
Total:7.28000

Datablad