EPC8009

EPC8009

Fabrikant

EPC

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - single

Beskrivelse

GANFET N-CH 65V 2.7A DIE

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    eGaN®
  • pakke
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • del status
    Active
  • fet type
    N-Channel
  • teknologi
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • dræn til kildespænding (vdss)
    65 V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    2.7A (Ta)
  • drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
    5V
  • rds på (max) @ id, vgs
    130mOhm @ 500mA, 5V
  • vgs(th) (max) @ id
    2.5V @ 250µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    0.45 nC @ 5 V
  • vgs (max)
    +6V, -4V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    52 pF @ 32.5 V
  • fet funktion
    -
  • strømtab (maks.)
    -
  • Driftstemperatur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • leverandørens enhedspakke
    Die
  • pakke/etui
    Die

EPC8009 Anmode om et tilbud

På lager 10466
Antal:
Enhedspris (referencepris):
3.15000
Mål pris:
Total:3.15000

Datablad