specifikationer

• serie
  G3R™
• pakke
  Tube
• del status
  Active
• fet type
  N-Channel
• teknologi
  SiCFET (Silicon Carbide)
• dræn til kildespænding (vdss)
  1700 V
• strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
  61A (Tc)
• drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
  15V
• rds på (max) @ id, vgs
  58mOhm @ 40A, 15V
• vgs(th) (max) @ id
  2.7V @ 8mA
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  182 nC @ 15 V
• vgs (max)
  ±15V
• input kapacitans (ciss) (max) @ vds
  4523 pF @ 1000 V
• fet funktion
  -
• strømtab (maks.)
  438W (Tc)
• Driftstemperatur
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• monteringstype
  Through Hole
• leverandørens enhedspakke
  TO-247-3
• pakke/etui
  TO-247-3