specifikationer

• serie
  HEXFET®
• pakke
  Tape & Reel (TR)
• del status
  Obsolete
• fet type
  N-Channel
• teknologi
  MOSFET (Metal Oxide)
• dræn til kildespænding (vdss)
  40 V
• strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
  46A (Ta), 270A (Tc)
• drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
  10V
• rds på (max) @ id, vgs
  1mOhm @ 160A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  4V @ 250µA
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  330 nC @ 10 V
• vgs (max)
  ±20V
• input kapacitans (ciss) (max) @ vds
  11880 pF @ 25 V
• fet funktion
  -
• strømtab (maks.)
  3.8W (Ta), 125W (Tc)
• Driftstemperatur
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• monteringstype
  Surface Mount
• leverandørens enhedspakke
  DIRECTFET L8
• pakke/etui
  DirectFET™ Isometric L8