BSC077N12NS3GATMA1

BSC077N12NS3GATMA1

Fabrikant

IR (Infineon Technologies)

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - single

Beskrivelse

MOSFET N-CH 120V 13.4/98A 8TDSON

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    OptiMOS™
  • pakke
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • del status
    Active
  • fet type
    N-Channel
  • teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • dræn til kildespænding (vdss)
    120 V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    13.4A (Ta), 98A (Tc)
  • drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
    10V
  • rds på (max) @ id, vgs
    7.7mOhm @ 50A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4V @ 110µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    88 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±20V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    5700 pF @ 60 V
  • fet funktion
    -
  • strømtab (maks.)
    139W (Tc)
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • leverandørens enhedspakke
    PG-TDSON-8-1
  • pakke/etui
    8-PowerTDFN

BSC077N12NS3GATMA1 Anmode om et tilbud

På lager 11309
Antal:
Enhedspris (referencepris):
2.90000
Mål pris:
Total:2.90000

Datablad