FF200R12KT3HOSA1

FF200R12KT3HOSA1

Fabrikant

IR (Infineon Technologies)

Produktkategori

transistorer - igbt'er - moduler

Beskrivelse

IGBT MODULE 1200V 1050W

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Bulk
  • del status
    Active
  • igbt type
    Trench Field Stop
  • konfiguration
    2 Independent
  • spænding - kollektor emitter nedbrud (max)
    1200 V
  • strøm - samler (ic) (maks.)
    -
  • effekt - max
    1050 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    2.15V @ 15V, 200A
  • strøm - kollektorafskæring (maks.)
    5 mA
  • input kapacitans (cies) @ vce
    14 nF @ 25 V
  • input
    Standard
  • ntc termistor
    No
  • Driftstemperatur
    -40°C ~ 125°C
  • monteringstype
    Chassis Mount
  • pakke/etui
    Module
  • leverandørens enhedspakke
    Module

FF200R12KT3HOSA1 Anmode om et tilbud

På lager 1208
Antal:
Enhedspris (referencepris):
125.73000
Mål pris:
Total:125.73000

Datablad