IMBF170R650M1XTMA1

IMBF170R650M1XTMA1

Fabrikant

IR (Infineon Technologies)

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - single

Beskrivelse

SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    CoolSiC™
  • pakke
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • del status
    Active
  • fet type
    N-Channel
  • teknologi
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • dræn til kildespænding (vdss)
    1700 V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    7.4A (Tc)
  • drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
    12V, 15V
  • rds på (max) @ id, vgs
    650mOhm @ 1.5A, 15V
  • vgs(th) (max) @ id
    5.7V @ 1.7mA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    8 nC @ 12 V
  • vgs (max)
    +20V, -10V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    422 pF @ 1000 V
  • fet funktion
    -
  • strømtab (maks.)
    88W (Tc)
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • monteringstype
    -
  • leverandørens enhedspakke
    PG-TO263-7
  • pakke/etui
    TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

IMBF170R650M1XTMA1 Anmode om et tilbud

På lager 7668
Antal:
Enhedspris (referencepris):
7.28000
Mål pris:
Total:7.28000