specifikationer

• serie
  CoolMOS™
• pakke
  Tube
• del status
  Active
• fet type
  N-Channel
• teknologi
  MOSFET (Metal Oxide)
• dræn til kildespænding (vdss)
  800 V
• strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
  4A (Tc)
• drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
  10V
• rds på (max) @ id, vgs
  1.4Ohm @ 1.4A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  3.5V @ 700µA
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  10.05 nC @ 10 V
• vgs (max)
  ±20V
• input kapacitans (ciss) (max) @ vds
  250 pF @ 500 V
• fet funktion
  Super Junction
• strømtab (maks.)
  32W (Tc)
• Driftstemperatur
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• monteringstype
  Through Hole
• leverandørens enhedspakke
  PG-TO251-3
• pakke/etui
  TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA