specifikationer

• serie
  HEXFET®, StrongIRFET™
• pakke
  Tube
• del status
  Active
• fet type
  N-Channel
• teknologi
  MOSFET (Metal Oxide)
• dræn til kildespænding (vdss)
  200 V
• strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
  12A (Tc)
• drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
  10V
• rds på (max) @ id, vgs
  170mOhm @ 7.2A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  4.9V @ 50µA
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  23 nC @ 10 V
• vgs (max)
  ±20V
• input kapacitans (ciss) (max) @ vds
  790 pF @ 50 V
• fet funktion
  -
• strømtab (maks.)
  80W (Tc)
• Driftstemperatur
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• monteringstype
  Through Hole
• leverandørens enhedspakke
  TO-220AB
• pakke/etui
  TO-220-3