specifikationer

• serie
  HEXFET®
• pakke
  Tube
• del status
  Obsolete
• fet type
  N-Channel
• teknologi
  MOSFET (Metal Oxide)
• dræn til kildespænding (vdss)
  30 V
• strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
  87A (Tc)
• drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
  4.5V, 10V
• rds på (max) @ id, vgs
  6.3mOhm @ 21A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  2.25V @ 250µA
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  26 nC @ 4.5 V
• vgs (max)
  ±20V
• input kapacitans (ciss) (max) @ vds
  2130 pF @ 15 V
• fet funktion
  -
• strømtab (maks.)
  79W (Tc)
• Driftstemperatur
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• monteringstype
  Through Hole
• leverandørens enhedspakke
  TO-262
• pakke/etui
  TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA