IRFH5020TRPBF

IRFH5020TRPBF

Fabrikant

IR (Infineon Technologies)

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - single

Beskrivelse

MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    HEXFET®
  • pakke
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • del status
    Active
  • fet type
    N-Channel
  • teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • dræn til kildespænding (vdss)
    200 V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    5.1A (Ta)
  • drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
    10V
  • rds på (max) @ id, vgs
    55mOhm @ 7.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    5V @ 150µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    54 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±20V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    2290 pF @ 100 V
  • fet funktion
    -
  • strømtab (maks.)
    3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • leverandørens enhedspakke
    8-PQFN (5x6)
  • pakke/etui
    8-PowerTDFN

IRFH5020TRPBF Anmode om et tilbud

På lager 15369
Antal:
Enhedspris (referencepris):
2.07000
Mål pris:
Total:2.07000

Datablad