specifikationer

• serie
  -
• pakke
  Tube
• del status
  Active
• fet type
  6 N-Channel (3-Phase Bridge)
• fet funktion
  Silicon Carbide (SiC)
• dræn til kildespænding (vdss)
  1200V (1.2kV)
• strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
  171A (Tc)
• rds på (max) @ id, vgs
  16mOhm @ 80A, 20V
• vgs(th) (max) @ id
  2.8V @ 2mA
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  464nC @ 20V
• input kapacitans (ciss) (max) @ vds
  6040pF @ 1000V
• effekt - max
  728W (Tc)
• Driftstemperatur
  -40°C ~ 175°C (TJ)
• monteringstype
  Chassis Mount
• pakke/etui
  Module
• leverandørens enhedspakke
  SP6-P