specifikationer

• serie
  -
• pakke
  Bag
• del status
  Active
• fet type
  N-Channel
• teknologi
  MOSFET (Metal Oxide)
• dræn til kildespænding (vdss)
  100 V
• strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
  20A
• drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
  5V
• rds på (max) @ id, vgs
  120mOhm @ 10A, 5V
• vgs(th) (max) @ id
  2.5V @ 250µA
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  30 nC @ 5 V
• vgs (max)
  ±15V
• input kapacitans (ciss) (max) @ vds
  1500 pF @ 25 V
• fet funktion
  Logic Level Gate, 4V Drive
• strømtab (maks.)
  105W (Tc)
• Driftstemperatur
  175°C (TJ)
• monteringstype
  Through Hole
• leverandørens enhedspakke
  TO-220
• pakke/etui
  TO-220-3