FQP5N60C

FQP5N60C

Fabrikant

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - single

Beskrivelse

MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220-3

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    QFET®
  • pakke
    Tube
  • del status
    Active
  • fet type
    N-Channel
  • teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • dræn til kildespænding (vdss)
    600 V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    4.5A (Tc)
  • drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
    10V
  • rds på (max) @ id, vgs
    2.5Ohm @ 2.25A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4V @ 250µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    19 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±30V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    670 pF @ 25 V
  • fet funktion
    -
  • strømtab (maks.)
    100W (Tc)
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Through Hole
  • leverandørens enhedspakke
    TO-220-3
  • pakke/etui
    TO-220-3

FQP5N60C Anmode om et tilbud

På lager 16101
Antal:
Enhedspris (referencepris):
1.32000
Mål pris:
Total:1.32000

Datablad