MJD122-1G

MJD122-1G

Fabrikant

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Produktkategori

transistorer - bipolære (bjt) - enkelt

Beskrivelse

TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Tube
  • del status
    Active
  • transistor type
    NPN - Darlington
  • strøm - samler (ic) (maks.)
    8 A
  • spænding - kollektor emitter nedbrud (max)
    100 V
  • vce mætning (max) @ ib, ic
    4V @ 80mA, 8A
  • strøm - kollektorafskæring (maks.)
    10µA
  • DC strømforstærkning (hfe) (min) @ ic, vce
    1000 @ 4A, 4V
  • effekt - max
    1.75 W
  • frekvens - overgang
    4MHz
  • Driftstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • pakke/etui
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • leverandørens enhedspakke
    DPAK

MJD122-1G Anmode om et tilbud

På lager 27839
Antal:
Enhedspris (referencepris):
0.37100
Mål pris:
Total:0.37100