BSO211P

BSO211P

Fabrikant

Rochester Electronics

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - arrays

Beskrivelse

P-CHANNEL POWER MOSFET

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    OptiMOS™
  • pakke
    Bulk
  • del status
    Active
  • fet type
    2 P-Channel (Dual)
  • fet funktion
    Logic Level Gate
  • dræn til kildespænding (vdss)
    20V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    4.7A
  • rds på (max) @ id, vgs
    67mOhm @ 4.7A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id
    1.2V @ 25µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    23.9nC @ 4.5V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    920pF @ 15V
  • effekt - max
    2W
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • pakke/etui
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • leverandørens enhedspakke
    P-DSO-8

BSO211P Anmode om et tilbud

På lager 35314
Antal:
Enhedspris (referencepris):
0.29000
Mål pris:
Total:0.29000