FDD2612

FDD2612

Fabrikant

Rochester Electronics

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - single

Beskrivelse

MOSFET N-CH 200V 4.9A TO252

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    PowerTrench®
  • pakke
    Bulk
  • del status
    Obsolete
  • fet type
    N-Channel
  • teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • dræn til kildespænding (vdss)
    200 V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    4.9A (Ta)
  • drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
    10V
  • rds på (max) @ id, vgs
    720mOhm @ 1.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4.5V @ 250µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    11 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±20V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    234 pF @ 100 V
  • fet funktion
    -
  • strømtab (maks.)
    42W (Ta)
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • leverandørens enhedspakke
    TO-252
  • pakke/etui
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FDD2612 Anmode om et tilbud

På lager 26892
Antal:
Enhedspris (referencepris):
0.77000
Mål pris:
Total:0.77000

Datablad