FDG6306P

FDG6306P

Fabrikant

Rochester Electronics

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - arrays

Beskrivelse

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    PowerTrench®
  • pakke
    Bulk
  • del status
    Active
  • fet type
    2 P-Channel (Dual)
  • fet funktion
    Logic Level Gate
  • dræn til kildespænding (vdss)
    20V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    600mA
  • rds på (max) @ id, vgs
    420mOhm @ 600mA, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id
    1.5V @ 250µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    2nC @ 4.5V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    114pF @ 10V
  • effekt - max
    300mW
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • pakke/etui
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • leverandørens enhedspakke
    SC-88 (SC-70-6)

FDG6306P Anmode om et tilbud

På lager 59804
Antal:
Enhedspris (referencepris):
0.17000
Mål pris:
Total:0.17000

Datablad