FGH50N3

FGH50N3

Fabrikant

Rochester Electronics

Produktkategori

transistorer - igbts - single

Beskrivelse

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Bulk
  • del status
    Active
  • igbt type
    PT
  • spænding - kollektor emitter nedbrud (max)
    300 V
  • strøm - samler (ic) (maks.)
    75 A
  • strøm - kollektor pulseret (icm)
    240 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    1.4V @ 15V, 30A
  • effekt - max
    463 W
  • skifte energi
    130µJ (on), 92µJ (off)
  • input type
    Standard
  • portladning
    180 nC
  • td (til/fra) ved 25°c
    20ns/135ns
  • test tilstand
    180V, 30A, 5Ohm, 15V
  • omvendt restitutionstid (trr)
    -
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Through Hole
  • pakke/etui
    TO-247-3
  • leverandørens enhedspakke
    TO-247-3

FGH50N3 Anmode om et tilbud

På lager 8737
Antal:
Enhedspris (referencepris):
6.32000
Mål pris:
Total:6.32000

Datablad