HGTD3N60C3S9A

HGTD3N60C3S9A

Fabrikant

Rochester Electronics

Produktkategori

transistorer - igbts - single

Beskrivelse

N-CHANNEL IGBT

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Bulk
  • del status
    Obsolete
  • igbt type
    -
  • spænding - kollektor emitter nedbrud (max)
    600 V
  • strøm - samler (ic) (maks.)
    6 A
  • strøm - kollektor pulseret (icm)
    24 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    2V @ 15V, 3A
  • effekt - max
    33 W
  • skifte energi
    85µJ (on), 245µJ (off)
  • input type
    Standard
  • portladning
    10.8 nC
  • td (til/fra) ved 25°c
    -
  • test tilstand
    480V, 3A, 82Ohm, 15V
  • omvendt restitutionstid (trr)
    -
  • Driftstemperatur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • pakke/etui
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • leverandørens enhedspakke
    TO-252AA

HGTD3N60C3S9A Anmode om et tilbud

På lager 25911
Antal:
Enhedspris (referencepris):
0.40000
Mål pris:
Total:0.40000

Datablad