HGTG18N120BN

HGTG18N120BN

Fabrikant

Rochester Electronics

Produktkategori

transistorer - igbts - single

Beskrivelse

IGBT, 54A, 1200V, N-CHANNEL, TO-

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Bulk
  • del status
    Active
  • igbt type
    NPT
  • spænding - kollektor emitter nedbrud (max)
    1.2 V
  • strøm - samler (ic) (maks.)
    54 A
  • strøm - kollektor pulseret (icm)
    165 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    2.7V @ 15V, 18A
  • effekt - max
    390 W
  • skifte energi
    800µJ (on), 1.8mJ (off)
  • input type
    Standard
  • portladning
    165 nC
  • td (til/fra) ved 25°c
    23ns/170ns
  • test tilstand
    960V, 18A, 3Ohm, 15V
  • omvendt restitutionstid (trr)
    -
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Through Hole
  • pakke/etui
    TO-247-3
  • leverandørens enhedspakke
    TO-247-3

HGTG18N120BN Anmode om et tilbud

På lager 8882
Antal:
Enhedspris (referencepris):
6.32000
Mål pris:
Total:6.32000

Datablad