IPI126N10N3 G

IPI126N10N3 G

Fabrikant

Rochester Electronics

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - single

Beskrivelse

MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    OptiMOS™
  • pakke
    Tube
  • del status
    Obsolete
  • fet type
    N-Channel
  • teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • dræn til kildespænding (vdss)
    100 V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    58A (Tc)
  • drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
    6V, 10V
  • rds på (max) @ id, vgs
    12.6mOhm @ 46A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    3.5V @ 46µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    35 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±20V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    2.5 pF @ 50 V
  • fet funktion
    -
  • strømtab (maks.)
    94W (Tc)
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • monteringstype
    Through Hole
  • leverandørens enhedspakke
    PG-TO262-3
  • pakke/etui
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

IPI126N10N3 G Anmode om et tilbud

På lager 36042
Antal:
Enhedspris (referencepris):
0.57000
Mål pris:
Total:0.57000

Datablad