IPP027N08N5AKSA1

IPP027N08N5AKSA1

Fabrikant

Rochester Electronics

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - single

Beskrivelse

MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    OptiMOS™
  • pakke
    Bulk
  • del status
    Active
  • fet type
    N-Channel
  • teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • dræn til kildespænding (vdss)
    80 V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    120A (Tc)
  • drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
    6V, 10V
  • rds på (max) @ id, vgs
    2.7mOhm @ 100A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    3.8V @ 154µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    123 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±20V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    8.97 pF @ 40 V
  • fet funktion
    -
  • strømtab (maks.)
    214W (Tc)
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • monteringstype
    Through Hole
  • leverandørens enhedspakke
    PG-TO220-3
  • pakke/etui
    TO-220-3

IPP027N08N5AKSA1 Anmode om et tilbud

På lager 11167
Antal:
Enhedspris (referencepris):
1.94000
Mål pris:
Total:1.94000

Datablad