IPP65R600C6XKSA1

IPP65R600C6XKSA1

Fabrikant

Rochester Electronics

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - single

Beskrivelse

MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    CoolMOS™
  • pakke
    Tube
  • del status
    Obsolete
  • fet type
    N-Channel
  • teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • dræn til kildespænding (vdss)
    650 V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    7.3A (Tc)
  • drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
    10V
  • rds på (max) @ id, vgs
    600mOhm @ 2.1A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    3.5V @ 210µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    23 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±20V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    440 pF @ 100 V
  • fet funktion
    -
  • strømtab (maks.)
    63W (Tc)
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Through Hole
  • leverandørens enhedspakke
    PG-TO220-3
  • pakke/etui
    TO-220-3

IPP65R600C6XKSA1 Anmode om et tilbud

På lager 34153
Antal:
Enhedspris (referencepris):
0.60000
Mål pris:
Total:0.60000

Datablad