specifikationer

• serie
  HEXFET®
• pakke
  Bulk
• del status
  Active
• fet type
  N-Channel
• teknologi
  MOSFET (Metal Oxide)
• dræn til kildespænding (vdss)
  25 V
• strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
  28A (Ta), 125A (Tc)
• drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
  4.5V, 10V
• rds på (max) @ id, vgs
  1.7mOhm @ 28A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  2.1V @ 50µA
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  25 nC @ 4.5 V
• vgs (max)
  ±16V
• input kapacitans (ciss) (max) @ vds
  2.51 pF @ 13 V
• fet funktion
  -
• strømtab (maks.)
  2.1W (Ta), 42W (Tc)
• Driftstemperatur
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• monteringstype
  Surface Mount
• leverandørens enhedspakke
  DIRECTFET™ S3C
• pakke/etui
  DirectFET™ Isometric S3C