IRF7807VTRPBF

IRF7807VTRPBF

Fabrikant

Rochester Electronics

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - single

Beskrivelse

PLANAR <=40V

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    HEXFET®
  • pakke
    Bulk
  • del status
    Active
  • fet type
    N-Channel
  • teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • dræn til kildespænding (vdss)
    30 V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    8.3A (Ta)
  • drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
    4.5V
  • rds på (max) @ id, vgs
    25mOhm @ 7A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id
    3V @ 250µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    14 nC @ 5 V
  • vgs (max)
    ±20V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    -
  • fet funktion
    -
  • strømtab (maks.)
    2.5W (Ta)
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • leverandørens enhedspakke
    8-SO
  • pakke/etui
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IRF7807VTRPBF Anmode om et tilbud

På lager 34250
Antal:
Enhedspris (referencepris):
0.30000
Mål pris:
Total:0.30000

Datablad