specifikationer

• serie
  HEXFET®
• pakke
  Bulk
• del status
  Active
• fet type
  N-Channel
• teknologi
  MOSFET (Metal Oxide)
• dræn til kildespænding (vdss)
  150 V
• strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
  41A (Tc)
• drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
  10V
• rds på (max) @ id, vgs
  45mOhm @ 25A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  5.5V @ 250µA
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  110 nC @ 10 V
• vgs (max)
  ±30V
• input kapacitans (ciss) (max) @ vds
  2.52 pF @ 25 V
• fet funktion
  -
• strømtab (maks.)
  200W (Tc)
• Driftstemperatur
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• monteringstype
  Through Hole
• leverandørens enhedspakke
  TO-220AB
• pakke/etui
  TO-220-3