IRG8P50N120KD-EPBF

IRG8P50N120KD-EPBF

Fabrikant

Rochester Electronics

Produktkategori

transistorer - igbts - single

Beskrivelse

IRG8P50N120 - DISCRETE IGBT WITH

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Bulk
  • del status
    Obsolete
  • igbt type
    -
  • spænding - kollektor emitter nedbrud (max)
    1.2 V
  • strøm - samler (ic) (maks.)
    80 A
  • strøm - kollektor pulseret (icm)
    105 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    2V @ 15V, 35A
  • effekt - max
    350 W
  • skifte energi
    2.3mJ (on), 1.9mJ (off)
  • input type
    Standard
  • portladning
    315 nC
  • td (til/fra) ved 25°c
    35ns/190ns
  • test tilstand
    600V, 35A, 5Ohm, 15V
  • omvendt restitutionstid (trr)
    170 ns
  • Driftstemperatur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Through Hole
  • pakke/etui
    TO-247-3
  • leverandørens enhedspakke
    TO-247AD

IRG8P50N120KD-EPBF Anmode om et tilbud

På lager 8591
Antal:
Enhedspris (referencepris):
6.50000
Mål pris:
Total:6.50000

Datablad