IRGR2B60KDPBF

IRGR2B60KDPBF

Fabrikant

Rochester Electronics

Produktkategori

transistorer - igbts - single

Beskrivelse

IGBT WITH RECOVERY DIODE

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Tube
  • del status
    Obsolete
  • igbt type
    -
  • spænding - kollektor emitter nedbrud (max)
    600 V
  • strøm - samler (ic) (maks.)
    6.3 A
  • strøm - kollektor pulseret (icm)
    8 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    2.25V @ 15V, 2A
  • effekt - max
    35 W
  • skifte energi
    74µJ (on), 39µJ (off)
  • input type
    Standard
  • portladning
    12 nC
  • td (til/fra) ved 25°c
    11ns/150ns
  • test tilstand
    400V, 2A, 100Ohm, 15V
  • omvendt restitutionstid (trr)
    45 ns
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • pakke/etui
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • leverandørens enhedspakke
    D-Pak

IRGR2B60KDPBF Anmode om et tilbud

På lager 30364
Antal:
Enhedspris (referencepris):
0.68000
Mål pris:
Total:0.68000

Datablad