specifikationer

• serie
  HEXFET®
• pakke
  Bulk
• del status
  Active
• fet type
  N-Channel
• teknologi
  MOSFET (Metal Oxide)
• dræn til kildespænding (vdss)
  30 V
• strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
  116A (Tc)
• drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
  4.5V, 10V
• rds på (max) @ id, vgs
  7mOhm @ 60A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  3V @ 250µA
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  60 nC @ 4.5 V
• vgs (max)
  ±16V
• input kapacitans (ciss) (max) @ vds
  3.29 pF @ 25 V
• fet funktion
  -
• strømtab (maks.)
  3.8W (Ta), 180W (Tc)
• Driftstemperatur
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• monteringstype
  Surface Mount
• leverandørens enhedspakke
  D2PAK
• pakke/etui
  TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB