MJD112-1G

MJD112-1G

Fabrikant

Rochester Electronics

Produktkategori

transistorer - bipolære (bjt) - enkelt

Beskrivelse

POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 2A, 10

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Bulk
  • del status
    Active
  • transistor type
    NPN - Darlington
  • strøm - samler (ic) (maks.)
    2 A
  • spænding - kollektor emitter nedbrud (max)
    100 V
  • vce mætning (max) @ ib, ic
    3V @ 40mA, 4A
  • strøm - kollektorafskæring (maks.)
    20µA
  • DC strømforstærkning (hfe) (min) @ ic, vce
    1000 @ 2A, 3V
  • effekt - max
    1.75 W
  • frekvens - overgang
    25MHz
  • Driftstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Through Hole
  • pakke/etui
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • leverandørens enhedspakke
    I-PAK

MJD112-1G Anmode om et tilbud

På lager 44330
Antal:
Enhedspris (referencepris):
0.23000
Mål pris:
Total:0.23000

Datablad