MJD200T4G

MJD200T4G

Fabrikant

Rochester Electronics

Produktkategori

transistorer - bipolære (bjt) - enkelt

Beskrivelse

POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 5A, 25

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Bulk
  • del status
    Active
  • transistor type
    NPN
  • strøm - samler (ic) (maks.)
    5 A
  • spænding - kollektor emitter nedbrud (max)
    25 V
  • vce mætning (max) @ ib, ic
    1.8V @ 1A, 5A
  • strøm - kollektorafskæring (maks.)
    100nA (ICBO)
  • DC strømforstærkning (hfe) (min) @ ic, vce
    45 @ 2A, 1V
  • effekt - max
    1.4 W
  • frekvens - overgang
    65MHz
  • Driftstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • pakke/etui
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • leverandørens enhedspakke
    DPAK

MJD200T4G Anmode om et tilbud

På lager 56522
Antal:
Enhedspris (referencepris):
0.18000
Mål pris:
Total:0.18000

Datablad