NDD60N900U1-1G

NDD60N900U1-1G

Fabrikant

Rochester Electronics

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - single

Beskrivelse

MOSFET N-CH 600V 5.7A IPAK

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Tube
  • del status
    Obsolete
  • fet type
    N-Channel
  • teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • dræn til kildespænding (vdss)
    600 V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    5.7A (Tc)
  • drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
    10V
  • rds på (max) @ id, vgs
    900mOhm @ 2.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4V @ 250µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    12 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±25V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    360 pF @ 50 V
  • fet funktion
    -
  • strømtab (maks.)
    74W (Tc)
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Through Hole
  • leverandørens enhedspakke
    I-PAK
  • pakke/etui
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

NDD60N900U1-1G Anmode om et tilbud

På lager 34758
Antal:
Enhedspris (referencepris):
0.59000
Mål pris:
Total:0.59000

Datablad