NE5550779A-T1-A

NE5550779A-T1-A

Fabrikant

Rochester Electronics

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - rf

Beskrivelse

RF POWER N-CHANNEL, MOSFET

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Bulk
  • del status
    Obsolete
  • transistor type
    LDMOS
  • frekvens
    900MHz
  • gevinst
    22dB
  • spænding - test
    7.5 V
  • nuværende rating (ampere)
    2.1A
  • støjtal
    -
  • strøm - test
    140 mA
  • effekt - output
    38.5dBm
  • spænding - nominel
    30 V
  • pakke/etui
    4-SMD, Flat Leads
  • leverandørens enhedspakke
    79A

NE5550779A-T1-A Anmode om et tilbud

På lager 12605
Antal:
Enhedspris (referencepris):
2.56000
Mål pris:
Total:2.56000

Datablad