NGB8207BNT4G

NGB8207BNT4G

Fabrikant

Rochester Electronics

Produktkategori

transistorer - igbts - single

Beskrivelse

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Bulk
  • del status
    Obsolete
  • igbt type
    -
  • spænding - kollektor emitter nedbrud (max)
    365 V
  • strøm - samler (ic) (maks.)
    20 A
  • strøm - kollektor pulseret (icm)
    50 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    2.6V @ 4V, 20A
  • effekt - max
    165 W
  • skifte energi
    -
  • input type
    Logic
  • portladning
    -
  • td (til/fra) ved 25°c
    -
  • test tilstand
    -
  • omvendt restitutionstid (trr)
    -
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • pakke/etui
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • leverandørens enhedspakke
    D2PAK

NGB8207BNT4G Anmode om et tilbud

På lager 33069
Antal:
Enhedspris (referencepris):
0.62000
Mål pris:
Total:0.62000

Datablad