NGTB50N60S1WG

NGTB50N60S1WG

Fabrikant

Rochester Electronics

Produktkategori

transistorer - igbts - single

Beskrivelse

IGBT

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Tube
  • del status
    Obsolete
  • igbt type
    Trench
  • spænding - kollektor emitter nedbrud (max)
    600 V
  • strøm - samler (ic) (maks.)
    100 A
  • strøm - kollektor pulseret (icm)
    200 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    2V @ 15V, 50A
  • effekt - max
    417 W
  • skifte energi
    1.5mJ (on), 460µJ (off)
  • input type
    Standard
  • portladning
    220 nC
  • td (til/fra) ved 25°c
    100ns/237ns
  • test tilstand
    400V, 50A, 10Ohm, 15V
  • omvendt restitutionstid (trr)
    94 ns
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • monteringstype
    Through Hole
  • pakke/etui
    TO-247-3
  • leverandørens enhedspakke
    TO-247-3

NGTB50N60S1WG Anmode om et tilbud

På lager 10958
Antal:
Enhedspris (referencepris):
2.98000
Mål pris:
Total:2.98000

Datablad