NSB13211DW6T1G

NSB13211DW6T1G

Fabrikant

Rochester Electronics

Produktkategori

transistorer - bipolære (bjt) - arrays, pre-biased

Beskrivelse

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Bulk
  • del status
    Obsolete
  • transistor type
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • strøm - samler (ic) (maks.)
    100mA
  • spænding - kollektor emitter nedbrud (max)
    50V
  • modstand - base (r1)
    4.7kOhms, 10kOhms
  • modstand - emitter base (r2)
    4.7kOhms, 10kOhms
  • DC strømforstærkning (hfe) (min) @ ic, vce
    35 @ 5mA, 10V / 15 @ 5mA, 10V
  • vce mætning (max) @ ib, ic
    250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 1mA, 10mA
  • strøm - kollektorafskæring (maks.)
    500nA
  • frekvens - overgang
    -
  • effekt - max
    230mW
  • monteringstype
    Surface Mount
  • pakke/etui
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • leverandørens enhedspakke
    SC-88/SC70-6/SOT-363

NSB13211DW6T1G Anmode om et tilbud

På lager 500897
Antal:
Enhedspris (referencepris):
0.02000
Mål pris:
Total:0.02000

Datablad