NSBA123EF3T5G

NSBA123EF3T5G

Fabrikant

Rochester Electronics

Produktkategori

transistorer - bipolære (bjt) - enkeltstående, præ-forspændte

Beskrivelse

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Bulk
  • del status
    Active
  • transistor type
    PNP - Pre-Biased
  • strøm - samler (ic) (maks.)
    100 mA
  • spænding - kollektor emitter nedbrud (max)
    50 V
  • modstand - base (r1)
    2.2 kOhms
  • modstand - emitter base (r2)
    2.2 kOhms
  • DC strømforstærkning (hfe) (min) @ ic, vce
    8 @ 5mA, 10V
  • vce mætning (max) @ ib, ic
    250mV @ 5mA, 10mA
  • strøm - kollektorafskæring (maks.)
    500nA
  • frekvens - overgang
    -
  • effekt - max
    254 mW
  • monteringstype
    Surface Mount
  • pakke/etui
    SOT-1123
  • leverandørens enhedspakke
    SOT-1123

NSBA123EF3T5G Anmode om et tilbud

På lager 125878
Antal:
Enhedspris (referencepris):
0.08000
Mål pris:
Total:0.08000

Datablad