NTDV5805NT4G

NTDV5805NT4G

Fabrikant

Rochester Electronics

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - single

Beskrivelse

MOSFET N-CH 40V 51A DPAK

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Bulk
  • del status
    Obsolete
  • fet type
    N-Channel
  • teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • dræn til kildespænding (vdss)
    40 V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    51A (Tc)
  • drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
    5V, 10V
  • rds på (max) @ id, vgs
    9.5mOhm @ 15A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    3.5V @ 250µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    80 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±20V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    1.725 pF @ 25 V
  • fet funktion
    -
  • strømtab (maks.)
    -
  • Driftstemperatur
    -
  • monteringstype
    Surface Mount
  • leverandørens enhedspakke
    DPAK
  • pakke/etui
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NTDV5805NT4G Anmode om et tilbud

På lager 31110
Antal:
Enhedspris (referencepris):
0.33000
Mål pris:
Total:0.33000

Datablad