NTMD6N04R2G

NTMD6N04R2G

Fabrikant

Rochester Electronics

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - arrays

Beskrivelse

N-CHANNEL POWER MOSFET

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Bulk
  • del status
    Obsolete
  • fet type
    2 N-Channel (Dual)
  • fet funktion
    Logic Level Gate
  • dræn til kildespænding (vdss)
    40V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    4.6A
  • rds på (max) @ id, vgs
    34mOhm @ 5.8A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    3V @ 250µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    30nC @ 10V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    900pF @ 32V
  • effekt - max
    1.29W
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • pakke/etui
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • leverandørens enhedspakke
    8-SOIC

NTMD6N04R2G Anmode om et tilbud

På lager 36544
Antal:
Enhedspris (referencepris):
0.28000
Mål pris:
Total:0.28000

Datablad