specifikationer

• serie
  -
• pakke
  Bulk
• del status
  Obsolete
• fet type
  N-Channel
• teknologi
  MOSFET (Metal Oxide)
• dræn til kildespænding (vdss)
  30 V
• strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
  14A (Ta)
• drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
  -
• rds på (max) @ id, vgs
  11.6mOhm @ 7A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  -
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  5.7 nC @ 4.5 V
• vgs (max)
  -
• input kapacitans (ciss) (max) @ vds
  1.05 pF @ 10 V
• fet funktion
  -
• strømtab (maks.)
  10W (Tc)
• Driftstemperatur
  150°C (TJ)
• monteringstype
  Surface Mount
• leverandørens enhedspakke
  8-HWSON (3.3x3.3)
• pakke/etui
  8-PowerWDFN