specifikationer

• serie
  -
• pakke
  Tray
• del status
  Active
• fet type
  2 N-Channel (Half Bridge)
• fet funktion
  Silicon Carbide (SiC)
• dræn til kildespænding (vdss)
  1200V (1.2kV)
• strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
  300A (Tc)
• rds på (max) @ id, vgs
  -
• vgs(th) (max) @ id
  4V @ 68mA
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  -
• input kapacitans (ciss) (max) @ vds
  35000pF @ 10V
• effekt - max
  1875W
• Driftstemperatur
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• monteringstype
  Chassis Mount
• pakke/etui
  Module
• leverandørens enhedspakke
  Module