DTB123YUT106

DTB123YUT106

Fabrikant

ROHM Semiconductor

Produktkategori

transistorer - bipolære (bjt) - enkeltstående, præ-forspændte

Beskrivelse

TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • del status
    Active
  • transistor type
    PNP - Pre-Biased
  • strøm - samler (ic) (maks.)
    500 mA
  • spænding - kollektor emitter nedbrud (max)
    50 V
  • modstand - base (r1)
    2.2 kOhms
  • modstand - emitter base (r2)
    10 kOhms
  • DC strømforstærkning (hfe) (min) @ ic, vce
    56 @ 50mA, 5V
  • vce mætning (max) @ ib, ic
    300mV @ 2.5mA, 50mA
  • strøm - kollektorafskæring (maks.)
    500nA
  • frekvens - overgang
    200 MHz
  • effekt - max
    200 mW
  • monteringstype
    Surface Mount
  • pakke/etui
    SC-70, SOT-323
  • leverandørens enhedspakke
    UMT3

DTB123YUT106 Anmode om et tilbud

På lager 21233
Antal:
Enhedspris (referencepris):
0.49000
Mål pris:
Total:0.49000

Datablad