R6020ANX

R6020ANX

Fabrikant

ROHM Semiconductor

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - single

Beskrivelse

MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Bulk
  • del status
    Not For New Designs
  • fet type
    N-Channel
  • teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • dræn til kildespænding (vdss)
    600 V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    20A (Ta)
  • drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
    10V
  • rds på (max) @ id, vgs
    220mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4.5V @ 1mA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    65 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±30V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    2040 pF @ 25 V
  • fet funktion
    -
  • strømtab (maks.)
    50W (Tc)
  • Driftstemperatur
    150°C (TJ)
  • monteringstype
    Through Hole
  • leverandørens enhedspakke
    TO-220FM
  • pakke/etui
    TO-220-3 Full Pack

R6020ANX Anmode om et tilbud

På lager 8017
Antal:
Enhedspris (referencepris):
7.05000
Mål pris:
Total:7.05000

Datablad