RGT16NS65DGC9

RGT16NS65DGC9

Fabrikant

ROHM Semiconductor

Produktkategori

transistorer - igbts - single

Beskrivelse

IGBT

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Tube
  • del status
    Active
  • igbt type
    Trench Field Stop
  • spænding - kollektor emitter nedbrud (max)
    650 V
  • strøm - samler (ic) (maks.)
    16 A
  • strøm - kollektor pulseret (icm)
    24 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    2.1V @ 15V, 8A
  • effekt - max
    94 W
  • skifte energi
    -
  • input type
    Standard
  • portladning
    21 nC
  • td (til/fra) ved 25°c
    13ns/33ns
  • test tilstand
    400V, 8A, 10Ohm, 15V
  • omvendt restitutionstid (trr)
    42 ns
  • Driftstemperatur
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • monteringstype
    Through Hole
  • pakke/etui
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • leverandørens enhedspakke
    TO-262

RGT16NS65DGC9 Anmode om et tilbud

På lager 13708
Antal:
Enhedspris (referencepris):
2.33000
Mål pris:
Total:2.33000