RGTVX2TS65GC11

RGTVX2TS65GC11

Fabrikant

ROHM Semiconductor

Produktkategori

transistorer - igbts - single

Beskrivelse

2US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Tube
  • del status
    Active
  • igbt type
    Trench Field Stop
  • spænding - kollektor emitter nedbrud (max)
    650 V
  • strøm - samler (ic) (maks.)
    111 A
  • strøm - kollektor pulseret (icm)
    240 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    1.9V @ 15V, 60A
  • effekt - max
    319 W
  • skifte energi
    2.08mJ (on), 1.15mJ (off)
  • input type
    Standard
  • portladning
    123 nC
  • td (til/fra) ved 25°c
    49ns/150ns
  • test tilstand
    400V, 60A, 10Ohm, 15V
  • omvendt restitutionstid (trr)
    -
  • Driftstemperatur
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • monteringstype
    Through Hole
  • pakke/etui
    TO-247-3
  • leverandørens enhedspakke
    TO-247N

RGTVX2TS65GC11 Anmode om et tilbud

På lager 9659
Antal:
Enhedspris (referencepris):
5.73000
Mål pris:
Total:5.73000