RGW00TS65DGC11

RGW00TS65DGC11

Fabrikant

ROHM Semiconductor

Produktkategori

transistorer - igbts - single

Beskrivelse

650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Tube
  • del status
    Active
  • igbt type
    Trench Field Stop
  • spænding - kollektor emitter nedbrud (max)
    650 V
  • strøm - samler (ic) (maks.)
    96 A
  • strøm - kollektor pulseret (icm)
    200 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    1.9V @ 15V, 50A
  • effekt - max
    254 W
  • skifte energi
    1.18mJ (on), 960µJ (off)
  • input type
    Standard
  • portladning
    141 nC
  • td (til/fra) ved 25°c
    52ns/180ns
  • test tilstand
    400V, 50A, 10Ohm, 15V
  • omvendt restitutionstid (trr)
    95 ns
  • Driftstemperatur
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • monteringstype
    Through Hole
  • pakke/etui
    TO-247-3
  • leverandørens enhedspakke
    TO-247N

RGW00TS65DGC11 Anmode om et tilbud

På lager 9086
Antal:
Enhedspris (referencepris):
6.07000
Mål pris:
Total:6.07000

Datablad