RGW80TS65GC11

RGW80TS65GC11

Fabrikant

ROHM Semiconductor

Produktkategori

transistorer - igbts - single

Beskrivelse

650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Tube
  • del status
    Active
  • igbt type
    Trench Field Stop
  • spænding - kollektor emitter nedbrud (max)
    650 V
  • strøm - samler (ic) (maks.)
    78 A
  • strøm - kollektor pulseret (icm)
    160 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    1.9V @ 15V, 40A
  • effekt - max
    214 W
  • skifte energi
    760µJ (on), 720µJ (off)
  • input type
    Standard
  • portladning
    110 nC
  • td (til/fra) ved 25°c
    44ns/143ns
  • test tilstand
    400V, 40A, 10Ohm, 15V
  • omvendt restitutionstid (trr)
    -
  • Driftstemperatur
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • monteringstype
    Through Hole
  • pakke/etui
    TO-247-3
  • leverandørens enhedspakke
    TO-247N

RGW80TS65GC11 Anmode om et tilbud

På lager 7558
Antal:
Enhedspris (referencepris):
4.54000
Mål pris:
Total:4.54000

Datablad